手机版 |
产品分类 |
光学仪器及设备
PL光致发光成像太阳能电池生产检测设备
lyncee+材料3D实时动态显微镜+DHM™ R2100
Denselight SLD
细胞3D实时动态显微镜
Yenista+Tunics Reference+高性能可调激光光源
yenista+OSICS T100+窄线宽可调激光器
Yenista+TUNICS T100R+可调谐激光器
Yenista+T100S-HP+高功率可调激光器
fiberlabs光纤放大器S波段
fiberlabs光纤放大器0波段
其他
Sinton+WCT120+硅片少子寿命测试仪
光伏电池测试太阳模拟器
光伏测试太阳模拟器
变温霍尔效应测试仪
IV测试,QE测试用探针台样品台PVM
制备多晶硅太阳电池的氮化硅涂层沉积设备
在线式HIT用PECVD MVS
卷对卷柔性薄膜沉积设备MVS
已封装的标准太阳能电池
已校准的标准太阳能电池
半导体行业专用仪器
霍尔效应测试仪
膜厚光谱分析仪系统
嵌入式膜厚测试仪
膜厚测量仪
椭圆偏光膜厚测量仪(手动)
椭圆偏光膜厚测试仪(自动)
反射式膜厚测量仪
Sinton Instruments+BCT400+少子寿命测试仪
太赫兹时域光谱仪TDS
测量/计量仪器
接触电阻率测试仪
HalfMoon LED光色电检查系统
台阶仪
PLUTO高精度纯相位空间光调制器系统
空间光调制器Holoeye
光谱检测分析仪
FX2000工业级微型光谱仪
PG2000-Pro科研级高灵敏光谱仪
NOVA实验级制冷型光纤光谱仪
碳氧含量分析仪Nicolet 6700测试仪傅立叶红外光谱仪
FTE-8000手持式光谱分析仪
相关仪表
WCT-120PL产品分别采用标准QSSPC方法和光致发光法测量硅片的载流子寿命
单锥拉锥系统
保偏光纤耦合器熔融拉锥机
普通单模光纤拉锥系统
电化学仪器
电化学ECV +掺杂浓度PN结深测试+CVP21
电化学CV分布仪(CV测试仪)
无损检测/无损探伤仪器
CoreScan、Sherescan电池片面电阻测试系统
辐射测量仪器
太赫兹探测器高莱探测器THz Golay cell
制样/消解设备
溅射设备MVS
联系方式 |
产品系列
台湾SWIN公司生产的霍尔效应测试仪 (Hall Effect Measurement System)是性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。本仪器轻巧方便,易于携带,主要用于量测电子材料之重要特性参数,如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或体材料均可,其原理主要依据范德堡法则。
除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外,它也可应用于LED磊晶层的质量判定,也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成,此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。
Hall8686可说是一套功能强大、应用广泛的系统,Hall8686是在Hall8800的基础上增加了温度控制的功能,成为部分高端科研客户的理想选择。SWIN一直秉承平实的价格, 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。目前广泛应有于台湾半导体厂商。
主要特点
1、高精密度电流源
输出电流之精确度可达1nA,如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测,即高电阻值材料之量测。
2、高精密度电表
使用超高精度电表,电压量测能力可达nV等级,上限可达300V,极适合用于量测低电阻值材料。
3、外型精简、操作简单
外型轻巧、美观大方,磁铁组之极性更换也很灵活容易,独特之液氮容器设计,可确保低温量测之稳定性**。
4、I-V曲线
采用图表的方式,测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线,藉此评判样品的欧姆接触好坏。
5、单纯好用之操作画面
使用者只需在同一张操作画面中,就可以完成所有的设定,实验结果由软件自动计算得到,并在同一张画面中显示出来,省却画面切换的麻烦,结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。
6、自行开发之弹簧样品夹具,特殊设计之弹簧探针,其强度加强可改善探针与接触点之电气接触,提高量测之可靠度。
技术参数
磁场强度:0.53T;
温度测试范围:77K-423K,77K-623K可选, 温度准确度+/-0.5度;
输出电流:1nA-100mA;
迁移率(cm2/Volt-sec):1-107
阻抗(Ohms.cm):10-5 to 107
载流子浓度(cm-3):107 - 1021
样品尺寸:5-15mm,厚度1mm
样品夹具:Hall8686弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦);
测量材料:所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)
仪器尺寸(WxDxH):400*360*200 mm
仪器重量:15kg